Các thiết bị chống sét trên đường cấp nguồn hiện nay được chế tạo theo các công nghệ sau:

1. Công nghệ MOV: Công nghệ này sử dụng các phiến oxyde kim loại (MOV) làm phần tử tản sét vì các MOV có các ưu điểm vượt trội như: hệ số phi tuyến cao, dòng rò nhỏ, khả năng tản sét tốt (từ vài chục đến vài trăm kA), thời gian đáp ứng nhanh và giá trị điện dung nội tại nhỏ. Nhưng công nghệ này đòi hỏi chế độ lắp đặt và vận hành nghiêm ngặt như : điện áp mạng phải ổn định, hạn chế sử dụng khi tải là các máy hàn, các UPS hay khi nguồn là các phát điện có chất lượng không cao,….. Sở dĩ có các điều kiện này là do khi trong mạng xuất hiện các xung đỉnh nhọn có tần số công nghiệp hay các quá áp tạm thời vượt quá giá trị điện áp ngưỡng của MOV thì các thiết bị chống sét sẽ hoạt động bất kể nguyên do từ đâu và sẽ cắt liên tục 100 lần trong một chu kỳ. Việc này dẫn đến MOV bị quá nhiệt, phát cháy hay giảm tuồi thọ. Một số nhà chế tạo khắc phục nhược điểm này của MOV bằng cách mắc nối tiếp với các MOV công tắc cảm biến nhiệt. Khi các MOV bị quá nhiệt thì các công tắc này sẽ tác động cách ly MOV ra khỏi mạng. Nhưng nếu chính trong thời đoạn này xuất hiện sét thì thiết bị cần bảo vệ sẽ hư hỏng vì không được bảo vệ. Phạm vi sử dụng của các thiết bị chống sét chế tạo theo công nghệ MOV là bảo vệ chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn ở các mạng điện có chất lượng điều áp cao.
2. Công nghệ SAD (Silicon Avalanche Diode): Công nghệ này sử dụng các Avalanche Diode làm phần tử tản sét. Các diode này có ưu điểm là thời gian tác động rất nhanh (<1ns), tuổi thọ cao. Nhưng có nhược điểm là điện áp thông qua cao và khả năng tản dòng sét nhỏ (<3kA). Để nâng cao khả năng tản sét và điện áp chịu đựng, các nhà chế tạo phải ghép tổ hợp nhiều diode song song và nối tiếp, do đó giá thành rất cao. Thông thường các thiết bị chống sét theo công nghệ SAD chỉ sử dụng để bảo vệ cho các thiết bị đặt sâu trong nhà, công suất nhỏ và không thể dùng để làm bảo vệ chính (các tải quan trọng ).
3. Công nghệ TDS (Transient Discriminating Suppressor): Đây là công nghệ tiên tiến nhất hiện nay ( sản xuất từ năm 1998 ), thoả các yêu cầu của tiêu chuẩn UL 1449/02-98, ANSI/IEEE C62.41-1995. Công nghệ này kết hợp sử dụng Gas Arrester, MOV và SAD để tạo ra thiết bị chống sét hiệu quả nhất. Các thiết bị chống sét loại này thông minh phân biệt sét và các quá áp khác, thời gian tác động nhanh, hoạt động hiệu quả ngay cả ở mạng có chất lượng điều áp thấp và tuổi thọ cao. Phạm vi sử dụng thiết bị chống sét loại này rất rộng rãi, không đòi hỏi các qui định nghiêm ngặt về lắp đặt và vận hành, thích hợp cho các mạng điện ở khu vực Đông Nam Á, nơi có chất lượng điện áp không ổn định.
4. Công nghệ hỗn hợp TSG (Trigerred Spark Gap): Đây là công nghệ cho phép loại trừ các nhược điểm của khe hở phóng điện truyền thống như:điện áp phóng điện cao ( từ 3000V đến 4000V), khả năng dập tắt hồ quang kém, khả năng tự phục hồi thấp do xuất hiện dòng tự duy trì,..mà vẫn giữ được các ưu điểm của khe hở phóng điện như :khả năng tản sét cao (hàng trăm kA), tuổi thọ cao, giá hợp lý,…. Khuyết điểm của công nghệ này là thời gian đáp ứng chậm hơn so với công nghệ TDS, không có khả năng phân biệt xung sét và quá áp thông thường
5. Công nghệ TDX (Transient Discriminating) Nguyên tắc hoạt động của công nghệ TD giống như công nghệ TDS phân biệt xung sét và các xung quá áp khác. Theo công nghệ TD, từng phần tử MOV được trang bị cầu chì bảo vệ riêng biệt. Điều này cho phép tăng cao tuổi thọ thiết bị và tận dụng tối đa khả năng làm việc của thiết bị chống sét trên đường nguồn (trong các thiết bị chống sét được sản xuất theo công nghệ MOV, một nhóm MOV được trang bị cùng một cầu chì. Khi một phần tử MOV bị hỏng, toàn bộ các phần tử MOV trong nhóm bị loại tuy chưa bị hư và vẫn có thể tiếp tục sử dụng). Ngoài ra, công nghệ TD còn trang bị bộ lọc nhiễu EMI/RF Sine Wave Filtering cho phép nâng cao chất lượng điện cho thiết bị tải điện tử.